智能孔板流量計(jì)的研究與探討 五十七

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品的特性。鐵電晶體的工作原理是：當(dāng)把電場(chǎng)加載到鐵電晶體材料上，晶陣中的中心園子會(huì)沿著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)，到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，晶陣中的中心圓子只有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。一個(gè)用于記憶邏輯中的0，另一個(gè)記憶1，中心原子能在常溫，沒(méi)有電場(chǎng)的情況下停留在此狀態(tài)達(dá)100年以上。它與其他非易失性存儲(chǔ)器比較，具有如下優(yōu)點(diǎn)：讀取速度快，沒(méi)有寫等待時(shí)間；功耗低，擦寫次數(shù)多，使用壽命長(zhǎng)，芯片的擦寫次數(shù)為100億次，比一般的EEPROM存儲(chǔ)器高lO萬(wàn)倍，即使每秒讀寫次數(shù)高達(dá)30次，也能用lO年以上。

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